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Tecnologia

Toshiba sofre vazamento de tecnologia

Ex-engenheiro foi preso sob acusação de ter vendido informações sobre chips para a sul-coreana SK Hynix

Por Redação
15 de março de 2014
em Tecnologia
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Tóquio -  A japonesa Toshiba e a norte-americana SanDisk, parceiras entre si, entraram com processos separadamente contra a sul-coreana SK Hynix, buscando indenizações por uma suspeita de roubo de dados relacionados à principal tecnologia de chips de memória flash, usados em smartphones e tablets.

A SK Hynix disse nesta sexta-feira que ainda não foi notificada e que não daria declarações. A Hynix compete com a Toshiba e a SanDisk, parceiras na área de tecnologia de memória flash há quase 15 anos, para fornecer chips a fabricantes de dispositivos.

A medida segue uma prisão realizada pela polícia de Tóquio na quinta-feira de um ex-engenheiro da SanDisk suspeito de ter fornecidos dados técnicos ilegalmente à Hynix, empresa na qual ele depois trabalhou.

A Toshiba disse nesta sexta-feira que abriu o processo na Corte Distrital de Tóquio. A companhia não revelou a quantia que buscava em indenização, mas disse que estimava perdas de no mínimo 100 bilhões de ienes (980 milhões de dólares) como resultado do suposto vazamento de informações.

A SanDisk disse que abriu o processo contra a Hynix e entes relacionados na Corte Superior de Santa Clara, na Califórnia, buscando indenizações, uma injunção e outras reparações.

Essas ações estão relacionadas ao roubo de segredos comerciais relativos à tecnologia flash NAND pelo ex-engenheiro da SanDisk, Yoshitaka Sugita, 52, que deixou a empresa em 2008 para trabalhar para a SK Hynix. Ele é acusado de ter levado ilegalmente informações técnicas de propriedade da SanDisk e posteriormente tê-las fornecido à SK Hynix.

A Polícia Metropolitana de Tóquio anunciou a prisão do ex-funcionário, que trabalhou na joint venture de fabricação da SanDisk em Yokkaichi (Mie).

A relação de joint venture da SanDisk com a Toshiba está em vigor há quase 15 anos e representa uma das parcerias mais bem sucedidas da indústria de semicondutores. Juntas, elas são responsáveis por mais de dez gerações de tecnologias flash NAND ao longo desses anos.

 

Tags: alternativanoticias do japaonoticias japão

Redação

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